NTE Electronics, Inc. NTE2582
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NTE2582
1780-NTE2582
分立半导体产品
TO-220-3
大陆
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin,
1最小包装量--
NTE2582详情
NTE Electronics, Inc. NTE2582重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-220-3
安装类型
通孔
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-220
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE2582
Manufacturer
NTE Electronics
Product Status
活跃
厂商
NTE Electronics, Inc
Current-Collector (Ic) (Max)
12 A
Package
Bag
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
20 MHz
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
5.76
系列
-
操作温度
150°C (TJ)
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
2 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 1.6A, 5V
最大集极截止电流
10µA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
800mV @ 1.6A, 8A
电压 - 集射极击穿(最大值)
400 V
频率转换
20MHz
最大耗散功率(Abs)
40 W
集电极电流-最大值(IC)
12 A
最小直流增益(hFE)
10
集电极-发射器电压-最大值
400 V
NTE2582拓展信息







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