NTE Electronics, Inc. NTE293
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NTE293
1780-NTE293
分立半导体产品
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
1最小包装量--
NTE293详情
NTE Electronics, Inc. NTE293重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-92L
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE293
Manufacturer
NTE Electronics
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Package Description
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
200 MHz
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
2.13
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
1 W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 500mA, 10V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
JEDEC-95代码
TO-92
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
200MHz
最大耗散功率(Abs)
0.75 W
集电极电流-最大值(IC)
1 A
最小直流增益(hFE)
120
集电极-发射器电压-最大值
50 V
NTE293拓展信息







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