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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 NTE2930
NTE2930
NTE2930

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NTE Electronics, Inc. NTE2930

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型号

NTE2930

品牌

NTE Electronics, Inc.

utmel 编号

1780-NTE2930

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-3P-3 Full Pack

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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NTE2930
NTE2930 NTE Electronics, Inc. Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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NTE2930详情

技术参数

NTE Electronics, Inc. NTE2930重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-3P-3 Full Pack

  • 供应商器件包装

    TO-3PML

  • Manufacturer Part Number

    NTE2930

  • Manufacturer

    NTE Electronics

  • Package

    Bag

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    31A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    NTE Electronics, Inc

  • Power Dissipation (Max)

    100W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    40mOhm @ 15.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2270 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    97 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    100 V

  • Vgs（最大值）

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

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