NTE Electronics, Inc. NTE2941

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

质量

4.17305 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current

28(A)

Drain-Source On-Volt

60(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-220 Isolated

Operating Temp Range

-55C to 175C

Gate-Source Voltage (Max)

±20(V)

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

通孔

Manufacturer Part Number

NTE2941

Manufacturer

NTE Electronics

RoHS

Non-Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.31

Part Package Code

SFM

Drain Current-Max (ID)

28 A

ECCN 代码

EAR99

类型

功率MOSFET

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3 +Tab

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

极性

N

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

48(W)

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

28 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.028 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

48 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

长度

152.4 mm

高度

6.35 mm

宽度

76.2 mm