NTE Electronics, Inc. NTE2960

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220 Full Pack

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE2960

Manufacturer

NTE Electronics

RoHS

Compliant

Package

Bag

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

5.71

Drain Current-Max (ID)

7 A

操作温度

-55°C ~ 150°C

系列

-

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

40W

场效应管类型

2 N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2Ohm @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1380pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

-

漏源电压 (Vdss)

900V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

7 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

2 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

21 A

DS 击穿电压-最小值

900 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard