NTE Electronics, Inc. NTE30
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NTE30
1780-NTE30
分立半导体产品
TO-204AA, TO-3
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin
1最小包装量--
NTE30详情
NTE Electronics, Inc. NTE30重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-204AA, TO-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-3
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE30
Manufacturer
NTE Electronics
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
50 A
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Package Description
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
2 MHz
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
1.74
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
300 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
15 @ 25A, 2V
最大集极截止电流
1mA
JEDEC-95代码
TO-3
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
5V @ 10A, 50A
电压 - 集射极击穿(最大值)
80 V
频率转换
2MHz
最大耗散功率(Abs)
300 W
集电极电流-最大值(IC)
50 A
最小直流增益(hFE)
5
集电极-发射器电压-最大值
80 V
环境耗散-最大值
300 W
NTE30拓展信息







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