NTE Electronics, Inc. NTE316

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-72

质量

72.574779 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE316

Manufacturer

NTE Electronics

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15 V

RoHS

Compliant

Package

Bag

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

1400 MHz

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.13

Part Package Code

TO-72

操作温度

-

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

200 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

功率 - 最大

200mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15 V

最大集电极电流

50 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 2mA, 5V

JEDEC-95代码

TO-72

增益

15dB

电压 - 集射极击穿（最大值）

15V

最高频率

1.4 GHz

转换频率

1.4 GHz

频率转换

1.4GHz

集电极基极电压(VCBO)

30 V

最大耗散功率(Abs)

0.2 W

发射极基极电压 (VEBO)

3 V

集电极电流-最大值(IC)

0.05 A

最小直流增益（hFE）

25

集电极-发射器电压-最大值

15 V

最高频段

超高频段

集电极-基极电容-最大值

1 pF

噪音数字(分贝类型@ f)

4.5dB @ 450MHz

宽度

76.2 mm

高度

4.82 mm

长度

88.9 mm

直径

5.58 mm

达到SVHC

无SVHC