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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.072793
10
¥11.389424
100
¥10.744744
500
¥10.136549
1000
¥9.562784
NTE Electronics, Inc. NTE3311
- 收藏
- 对比
NTE3311
1780-NTE3311
分立半导体产品
TO-3P-3, SC-65-3
大陆
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NTE3311详情
NTE Electronics, Inc. NTE3311重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-3P
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE3311
Manufacturer
NTE Electronics
Operating Temperature (Max.)
150C
Operating Temperature Classification
Military
Package Type
TO-3P
Collector Current (DC)
25(A)
Rad Hardened
无
Operating Temperature (Min.)
-55C
Gate to Emitter Voltage (Max)
±20(V)
Mounting
通孔
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
25 A
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Test Conditions
-
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
700 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
650 ns
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Rise Time-Max (tr)
600 ns
Risk Rank
2.09
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3 +Tab
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
150 W
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
信道型
N
最大耗散功率(Abs)
150 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
4V @ 15V, 25A
集电极电流-最大值(IC)
25 A
IGBT类型
-
集电极-发射器电压-最大值
600 V
集极脉冲电流(Icm)
50 A
Td(开/关)@25°C
400ns/500ns
开关能量
-
栅极-发射极电压-最大值
20 V
最大下降时间 (tf)
350 ns
NTE3311拓展信息






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