NTE Electronics, Inc. NTE3323
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NTE3323
1780-NTE3323
分立半导体产品
TO-3P-3, SC-65-3
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
1最小包装量--
NTE3323详情
NTE Electronics, Inc. NTE3323重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
表面安装
NO
引脚数
3
供应商器件包装
TO-3P
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE3323
Manufacturer
NTE Electronics
RoHS
Compliant
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
25 A
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Test Conditions
-
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
700 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
1050 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Rise Time-Max (tr)
600 ns
Risk Rank
5.66
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
子类别
绝缘栅BIP晶体管
最大功率耗散
200 W
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
200 W
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.2 kV
最大集电极电流
25 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
最大耗散功率(Abs)
200 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
4V @ 15V, 25A
集电极电流-最大值(IC)
25 A
IGBT类型
-
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
集极脉冲电流(Icm)
50 A
Td(开/关)@25°C
400ns/800ns
开关能量
-
栅极-发射极电压-最大值
20 V
最大下降时间 (tf)
500 ns
宽度
5.2 mm
高度
26.16 mm
长度
20.57 mm
NTE3323拓展信息







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