NTE Electronics, Inc. NTE384

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-66

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE384

Manufacturer

NTE Electronics

Emitter-Base Voltage

9(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-66

Transistor Polarity

NPN

Collector-Base Voltage

375(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

7(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

通孔

Package

Bag

Current-Collector (Ic) (Max)

7 A

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

1 MHz

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

1.76

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2 +Tab

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

Single

功率耗散

75(W)

箱体转运

COLLECTOR

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

45 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

12 @ 1.2A, 1V

最大集极截止电流

500µA

JEDEC-95代码

TO-66

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 800mA, 4A

电压 - 集射极击穿（最大值）

350 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

45 W

集电极电流-最大值(IC)

7 A

最小直流增益（hFE）

12

集电极-发射器电压-最大值

350 V

环境耗散-最大值

45 W