NTE399
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NTE Electronics, Inc. NTE399

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型号

NTE399

utmel 编号

1780-NTE399

商品类别

分立半导体产品

封装

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN

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NTE399 NTE Electronics, Inc. Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN

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NTE399详情

NTE Electronics, Inc. NTE399重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-226-3, TO-92-3 Long Body

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    TO-92L

  • 质量

    7.257478 g

  • Manufacturer Part Number

    NTE399

  • Manufacturer

    NTE Electronics

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    600 mV

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    300 V

  • RoHS

    Compliant

  • Package

    Bag

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100 mA

  • 厂商

    NTE Electronics, Inc

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    900 mW

  • 极性

    NPN

  • 功率耗散

    900 mW

  • 功率 - 最大

    900 mW

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    300 V

  • 最大集电极电流

    100 mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    100 @ 5mA, 10V

  • 最大集极截止电流

    1µA (ICBO)

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    600mV @ 2mA, 20mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    300 V

  • 最高频率

    50 MHz

  • 转换频率

    50 MHz

  • 频率转换

    50MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    300 V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6 V

  • 宽度

    5.08 mm

  • 高度

    8.62 mm

  • 长度

    6.09 mm

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