NTE Electronics, Inc. NTE399
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NTE399
1780-NTE399
分立半导体产品
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN
1最小包装量--
NTE399详情
NTE Electronics, Inc. NTE399重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
引脚数
3
供应商器件包装
TO-92L
质量
7.257478 g
Manufacturer Part Number
NTE399
Manufacturer
NTE Electronics
Collector-Emitter Saturation Voltage
600 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
300 V
RoHS
Compliant
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
900 mW
极性
NPN
功率耗散
900 mW
功率 - 最大
900 mW
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
300 V
最大集电极电流
100 mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 5mA, 10V
最大集极截止电流
1µA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 2mA, 20mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
300 V
最高频率
50 MHz
转换频率
50 MHz
频率转换
50MHz
集电极基极电压(VCBO)
300 V
发射极基极电压 (VEBO)
6 V
宽度
5.08 mm
高度
8.62 mm
长度
6.09 mm
NTE399拓展信息







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