NTE Electronics, Inc. NTE46
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NTE46
1780-NTE46
分立半导体产品
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
1最小包装量--
NTE46详情
NTE Electronics, Inc. NTE46重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
表面安装
NO
引脚数
3
供应商器件包装
TO-92
质量
7.257478 g
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE46
Manufacturer
NTE Electronics
Emitter-Base Voltage
12(V)
Operating Temperature Classification
Military
Package Type
TO-92
Collector-Base Voltage
100(V)
Operating Temp Range
-55C to 150C
Collector Current (DC)
0.5(A)
Number of Elements
1
Rad Hardened
无
Maximum Collector Cut-off Current
0.1
DC Current Gain
10000
Mounting
通孔
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Schedule B
8541210080
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100 V
RoHS
Non-Compliant
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
500 mA
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Transition Frequency-Nom (fT)
200 MHz
Package Shape
ROUND
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
2.15
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
其他晶体管
最大功率耗散
625 mW
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-W3
资历状况
不合格
极性
NPN
配置
Single
功率耗散
0.625(W)
功率 - 最大
625 mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
100 V
最大集电极电流
500 mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
10000 @ 100mA, 5V
最大集极截止电流
500nA
JEDEC-95代码
TO-92
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 100µA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
100 V
转换频率
200 MHz
频率转换
200MHz
集电极基极电压(VCBO)
100 V
最大耗散功率(Abs)
0.625 W
发射极基极电压 (VEBO)
12 V
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益(hFE)
10000
集电极-发射器电压-最大值
100 V
宽度
4.191 mm
高度
5.334 mm
长度
5.1816 mm
达到SVHC
Unknown
NTE46拓展信息







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