NTE Electronics, Inc. NTE473
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NTE473
1780-NTE473
分立半导体产品
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RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-39
1最小包装量--
NTE473详情
NTE Electronics, Inc. NTE473重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE473
Manufacturer
NTE Electronics
Emitter-Base Voltage
4(V)
Package Type
TO-39
Collector-Base Voltage
65(V)
Operating Temp Range
-65C to 200C
Collector Current (DC)
1(A)
Number of Elements
1
DC Current Gain
10@250MA@5V
Package Description
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
500 MHz
Package Shape
ROUND
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
1.98
ECCN 代码
EAR99
类型
NPN
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
Single
功率耗散
7(W)
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
TO-39
最大耗散功率(Abs)
7 W
集电极电流-最大值(IC)
1 A
最小直流增益(hFE)
10
集电极-发射器电压-最大值
40 V
最高频段
甚高频段
集电极-基极电容-最大值
10 pF
环境耗散-最大值
7 W
功率增益
10(MIN)(dB)
NTE473拓展信息







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