NTE Electronics, Inc. NTE490

安装类型

通孔

包装/外壳

Axial

表面安装

NO

供应商器件包装

Axial

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE490

Manufacturer

NTE Electronics

Package

Bag

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

500mA (Tj)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

NTE Electronics, Inc

Power Dissipation (Max)

350mW (Ta)

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

5.71

Drain Current-Max (ID)

0.5 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-PBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5Ohm @ 200mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

60 pF @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.5 A

漏极-源极导通最大电阻

5 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.83 W

场效应管特性

-