NTE Electronics, Inc. NTE53

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

TO-3

质量

7.257478 g

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Emitter-Base Voltage

9(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-3

Transistor Polarity

NPN

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

15(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

DC Current Gain

6@10A@2V

Mounting

通孔

Manufacturer Part Number

NTE53

Manufacturer

NTE Electronics

Collector-Emitter Saturation Voltage

5 V

Schedule B

8541290080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400 V

RoHS

Compliant

Package

Bag

Current-Collector (Ic) (Max)

15 A

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

6 MHz

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

1.73

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

175 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

频率

28(MHz)

引脚数量

2 +Tab

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

175(W)

箱体转运

COLLECTOR

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

175 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400 V

最大集电极电流

15 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

12 @ 5A, 2V

最大集极截止电流

1mA

JEDEC-95代码

TO-3

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

5V @ 3A, 15A

电压 - 集射极击穿（最大值）

400 V

最高频率

28 MHz

转换频率

28 MHz

频率转换

28MHz

集电极基极电压(VCBO)

850 V

最大耗散功率(Abs)

175 W

发射极基极电压 (VEBO)

9 V

集电极电流-最大值(IC)

15 A

最小直流增益（hFE）

12

集电极-发射器电压-最大值

400 V

环境耗散-最大值

175 W

宽度

76.2 mm

高度

8.89 mm

长度

152.4 mm

直径

22.2 mm

达到SVHC

Unknown