NTE Electronics, Inc. NTE89
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NTE89
1780-NTE89
分立半导体产品
TO-204AA, TO-3
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
1最小包装量--
NTE89详情
NTE Electronics, Inc. NTE89重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-204AA, TO-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-3
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
6 A
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
METAL
Transition Frequency-Nom (fT)
3 MHz
Manufacturer Part Number
NTE89
Package Shape
ROUND
Manufacturer
NTE Electronics Inc
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
1.75
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
50 W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
8 @ 1A, 5V
最大集极截止电流
10µA (ICBO)
JEDEC-95代码
TO-3
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
5V @ 1A, 5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
频率转换
3MHz
最大耗散功率(Abs)
50 W
集电极电流-最大值(IC)
6 A
最小直流增益(hFE)
8
集电极-发射器电压-最大值
600 V
环境耗散-最大值
50 W
NTE89拓展信息







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