54ABT573/BRA详情
NXP 54ABT573/BRA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
质量
250g
终端数量
20
Dimensions
100 x 51 x 63mm
Charge Current
750mA
Maximum Output Power
11W
Schedule B
8542390000/8542390000/8542390000/8542390000/8542390000
RoHS
Non-Compliant
Package Description
CERAMIC, DIP-20
Package Style
IN-LINE
Load Capacitance (CL)
50 pF
Package Body Material
CERAMIC, GLASS-SEALED
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
125 °C
Manufacturer Part Number
54ABT573/BRA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.22
Part Package Code
DIP
附加功能
BROADSIDE VERSION OF 373
技术
BICMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
20
JESD-30代码
R-GDIP-T20
资历状况
不合格
输出电压
12V
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
2
比特数
8
家人
ABT
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
5.08 mm
输出极性
TRUE
逻辑IC类型
总线驱动器
传播延迟(tpd)
7.5 ns
插头类型
EU
电源电流-最大值(ICC)
30 mA
输入电压
190 → 264V ac
宽度
7.62 mm
54ABT573/BRA拓展信息
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors








哦! 它是空的。