BC640详情
NXP BC640重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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引脚数
3
质量
453.59237 mg
RoHS
Non-Compliant
Collector-Emitter Saturation Voltage
-500 mV
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
100 MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80 V
Power Dissipation (Max)
830 mW
hFEMin
25
Voltage Rating (DC)
-80 V
包装
Bulk
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
额定电流
-1 A
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
1 W
集电极发射器电压(VCEO)
80 V
最大集电极电流
1 A
集电极基极电压(VCBO)
-100 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
连续集电极电流
-1 A
宽度
2.41 mm
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
无铅
无铅
BC640拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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