NXP BC859B，215

安装类型

底座安装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件包装

TO-236AB

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

厂商

恩智浦半导体

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

FNP

容差

±0.1%

零件状态

活跃

温度系数

±1ppm/°C

类型

Shunt, Battery

电阻

500 mOhms

组成

金属箔

应用

--

功率(瓦特)

500W

功率 - 最大

250 mW

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

最大集极截止电流

15nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

30 V

频率转换

100MHz