BCP55-16115详情
NXP BCP55-16115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
1206 (3216 Metric)
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
引脚数
4
供应商器件包装
1206
质量
4.535924 g
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Kamaya Inc.
Product Status
活跃
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60 V
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
RMC
尺寸/尺寸
0.122 L x 0.063 W (3.10mm x 1.60mm)
容差
±0.5%
终止次数
2
温度系数
±100ppm/°C
电阻
13.7 Ohms
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
组成
厚膜
功率(瓦特)
0.25W, 1/4W
最大功率耗散
1.35 W
频率
180 MHz
失败率
-
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
1.35 W
增益带宽积
180 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
60 V
最大集电极电流
1 A
最高频率
180 MHz
转换频率
180 MHz
最大击穿电压
60 V
集电极基极电压(VCBO)
60 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
特征
-
座位高度(最大)
0.025 (0.65mm)
宽度
3.7 mm
高度
1.7 mm
长度
6.7 mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
无铅
无铅
评级结果
-
BCP55-16115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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