BCP56115
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NXP BCP56115

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型号

BCP56115

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BCP56115

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

80V 650mW 1A 63@150mA2V 180MHz 500mV@500mA50mA NPN 150¡Í@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS

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BCP56115
BCP56115 NXP 80V 650mW 1A 63@150mA2V 180MHz 500mV@500mA50mA NPN 150¡Í@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS

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BCP56115详情

NXP BCP56115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    4

  • 质量

    4.535924 g

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    500 mV

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    80 V

  • hFEMin

    63

  • Number of Elements

    1

  • RoHS

    Compliant

  • 终端

    SMD/SMT

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    960 mW

  • 频率

    180 MHz

  • 极性

    NPN

  • 电压

    80 V

  • 元素配置

    Single

  • 电流

    1 A

  • 功率耗散

    960 mW

  • 增益带宽积

    180 MHz

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    80 V

  • 最大集电极电流

    1 A

  • 最高频率

    180 MHz

  • 转换频率

    180 MHz

  • 最大击穿电压

    80 V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    100 V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5 V

  • 宽度

    3.7 mm

  • 高度

    1.7 mm

  • 长度

    6.7 mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

BCP56115拓展信息

BC856BS/DG/B3115
BC856BS/DG/B3115

NXP USA Inc.

BC857B/DG/B3215
BC857B/DG/B3215

NXP USA Inc.

BC807-40W/ZL135
BC807-40W/ZL135

NXP USA Inc.

BC857CW,115
BC857CW,115

NXP Semiconductors

PMBTA06/DG/B3235
PMBTA06/DG/B3235

NXP USA Inc.

BCW61C/DG/B4215
BCW61C/DG/B4215

NXP USA Inc.

BC51PAS115
BC51PAS115

NXP USA Inc.

BCX56-16115
BCX56-16115

NXP USA Inc.

BC817-25/DG/B2235
BC817-25/DG/B2235

NXP USA Inc.

BC847CT,115
BC847CT,115

NXP USA Inc.

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