NXP BCP68，115

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

供应商器件包装

SOT-223

质量

4.535924 g

Package

Bulk

厂商

PEI-Genesis

Product Status

活跃

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

系列

*

操作温度

150°C (TJ)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

1.4 W

频率

170 MHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

1.35 W

功率 - 最大

1.4 W

增益带宽积

170 MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

20 V

最大集电极电流

2 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

85 @ 500mA, 1V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

20 V

最高频率

170 MHz

转换频率

170 MHz

最大击穿电压

20 V

频率转换

170MHz

集电极基极电压(VCBO)

32 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

宽度

3.7 mm

高度

1.7 mm

长度

6.7 mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅