NXP BCW30215
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BCW30215
1786-BCW30215
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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32V 250mW 100mA 215@2mA5V 100MHz [email protected] PNP 150¡Í@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
1最小包装量--
BCW30215详情
NXP BCW30215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-236AB
质量
4.535924 g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
32 V
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
Base Product Number
BCW30
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
操作温度
150°C (TJ)
系列
Automotive, AEC-Q101
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
250 mW
频率
100 MHz
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
250 mW
功率 - 最大
250 mW
增益带宽积
100 MHz
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
32 V
最大集电极电流
100 mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
215 @ 2mA, 5V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 2.5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
32 V
转换频率
100 MHz
最大击穿电压
32 V
频率转换
100MHz
集电极基极电压(VCBO)
32 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
宽度
6.35 mm
高度
6.35 mm
长度
6.35 mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
无铅
无铅
BCW30215拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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