NXP BCW33 215

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-236AB

质量

4.535924 g

Package

零售包装

厂商

Glenair

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

32 V

hFEMin

420

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

系列

*

操作温度

150°C (TJ)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

250 mW

频率

100 MHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

250 mW

功率 - 最大

250 mW

增益带宽积

100 MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

32 V

最大集电极电流

100 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

210mV @ 2.5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

32 V

转换频率

100 MHz

最大击穿电压

32 V

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

32 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

宽度

6.35 mm

高度

6.35 mm

长度

6.35 mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅