BCX55-16 115详情
NXP BCX55-16 115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-89
质量
4.535924 g
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
Base Product Number
BCX51
厂商
Micro Commercial Co
Product Status
活跃
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60 V
hFEMin
100
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
1.25 W
频率
180 MHz
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
1.35 W
功率 - 最大
500 mW
增益带宽积
180 MHz
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
60 V
最大集电极电流
1 A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
45 V
最高频率
180 MHz
转换频率
180 MHz
最大击穿电压
60 V
频率转换
50MHz
集电极基极电压(VCBO)
60 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
宽度
2.6 mm
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
无铅
无铅
BCX55-16 115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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