NXP BCY79-VIII

安装类型

Through Hole, Right Angle

表面安装

NO

触点形状

Circular

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

--

Mated Stacking Heights

--

Contact Materials

Copper Alloy

Contact Finish Mating

Gold

Insulation Materials

Diallyl Phthalate (DAP)

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

BCY79-VIII

Turn-on Time-Max (ton)

100 ns

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Turn-off Time-Max (toff)

400 ns

Risk Rank

5.25

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

MTV

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

终端

Solder

ECCN 代码

EAR99

连接器类型

--

定位的数量

5

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

--

行数

1

HTS代码

8541.21.00.95

紧固类型

闩锁

子类别

其他晶体管

触点类型

内螺纹插座

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

入口保护

--

绝缘高度

--

样式

Board to Cable/Wire

已加载定位数量

All

Reach合规守则

unknown

额定电流

3A

间距 - 配套

0.050 (1.27mm)

绝缘颜色

--

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

行间距-交配

--

触点长度 - 柱子

0.500 (12.70mm)

触点表面处理 - 柱子

--

配置

SINGLE

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

JEDEC-95代码

TO-18

最大耗散功率(Abs)

0.6 W

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

45

集电极-发射器电压-最大值

45 V

特征

--

触点表面处理厚度 - 配套

50.0µin (1.27µm)

触点表面处理厚度 - 柱子

--

材料可燃性等级

--