BF722,115详情
NXP BF722,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
引脚数
4
质量
4.535924 g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
250 V
hFEMin
50
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Package
Bulk
Base Product Number
BF722
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
系列
*
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
1.2 W
频率
60 MHz
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
1.2 W
增益带宽积
60 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
250 V
最大集电极电流
100 mA
转换频率
60 MHz
最大击穿电压
250 V
集电极基极电压(VCBO)
250 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
宽度
6.35 mm
高度
6.35 mm
长度
6.35 mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
无铅
无铅
BF722,115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.








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