BLT70
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NXP BLT70

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型号

BLT70

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BLT70

商品类别

固定电感器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor, NPN Rf SOT-223

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BLT70 NXP Transistor, NPN Rf SOT-223

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BLT70详情

NXP BLT70重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    PLASTIC, SMD, 4 PIN

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BLT70

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    恩智浦半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Risk Rank

    5.73

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 子类别

    其他晶体管

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 最大耗散功率(Abs)

    2.1 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.25 A

  • 最小直流增益(hFE)

    25

  • 集电极-发射器电压-最大值

    8 V

  • 最高频段

    超高频段

  • 集电极-基极电容-最大值

    3.5 pF

  • 环境耗散-最大值

    2.1 W

  • 功率增益-最小值(Gp)

    6 dB

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BLT70拓展信息

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