BST52115详情
NXP BST52115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
0805 (2012 Metric)
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
引脚数
4
供应商器件包装
0805
质量
4.535924 g
厂商
KOA Speer Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Package
Tape & Reel (TR)
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80 V
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
SG73S-RT
尺寸/尺寸
0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)
容差
±1%
终止次数
2
温度系数
±200ppm/°C
电阻
105 kOhms
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
组成
厚膜
功率(瓦特)
0.25W, 1/4W
最大功率耗散
1.3 W
失败率
-
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
1.3 W
集电极发射器电压(VCEO)
80 V
最大集电极电流
1 A
转换频率
200 MHz
最大击穿电压
80 V
集电极基极电压(VCBO)
90 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
特征
Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Pulse Withstanding
座位高度(最大)
0.024 (0.60mm)
宽度
2.6 mm
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
无铅
无铅
评级结果
-
BST52115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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