BSV52详情
NXP BSV52重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Collector-Emitter Saturation Voltage
400 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12 V
hFEMin
40
Voltage Rating (DC)
12 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
18 ns
包装
切割胶带
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
250 mW
额定电流
200 mA
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
225 mW
接通延迟时间
12 ns
集电极发射器电压(VCEO)
12 V
最大集电极电流
100 mA
最高频率
500 MHz
转换频率
500 MHz
集电极基极电压(VCBO)
20 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
长度
3 mm
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
BSV52拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.








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