BZD27-C56,135详情
NXP BZD27-C56,135重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
RoHS
Non-Compliant
Package Description
O-LELF-R2
Package Style
长式
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Manufacturer Part Number
BZD27-C56,135
Power Dissipation (Max)
0.8 W
Package Shape
ROUND
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.78
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
箱体转运
ISOLATED
最大非代表峰值转速功率Dis
300 W
反向电流-最大值
5 µA
击穿电压-最小值
52 V
最大箝位电压
78.6 V
BZD27-C56,135拓展信息
NXP USA Inc.
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