NXP BZT03C8V2

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Voltage, Rating

150 V

Package Description

O-XALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reference Voltage-Nom

8.2 V

Operating Temperature-Max

175 °C

Manufacturer Part Number

BZT03C8V2

Power Dissipation (Max)

1.3 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Galaxy Semi-Conductor Co Ltd

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GALAXY SEMI-CONDUCTOR CO LTD

Risk Rank

5.56

容差

1 %

ECCN 代码

EAR99

温度系数

25 ppm/°C

电阻

280 Ω

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

电压基准二极管

额定功率

250 mW

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-XALF-W2

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

箱体转运

ISOLATED

最大电压允差

6.1%

JEDEC-95代码

DO-15

工作测试电流

100 mA

动态阻抗-最大值

2 Ω

高度

650 µm