NXP BZT52H-C12115

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

引脚数

2

供应商器件包装

SOD-123F

Package

Bulk

厂商

Suntsu Electronics, Inc.

Product Status

活跃

Impedance (Max) (Zzt)

10 Ohms

RoHS

Compliant

操作温度

-10°C ~ 70°C

系列

SXT114

尺寸/尺寸

0.063 L x 0.047 W (1.60mm x 1.20mm)

容差

±5.42%

类型

兆赫晶体

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

375 mW

频率

25 MHz

频率稳定性

±30ppm

ESR（等效串联电阻）

150 Ohms

工作电压

12 V

负载电容

8pF

阻抗

10 Ω

元素配置

Single

反向泄漏电流@ Vr

100 nA @ 8 V

操作模式

Fundamental

功率耗散

830 mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

900 mV @ 10 mA

频率容差

±10ppm

功率 - 最大

375 mW

最大反向漏电电流

100 nA

测试电流

5 mA

正向电压

900 mV

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

12 V

齐纳电压

12 V

峰值反向电流

100 nA

电压允差

5 %

ESD保护

无

齐纳电流

250 mA

座位高度(最大)

0.018 (0.45mm)

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅