BZT52H-C4V3115
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NXP BZT52H-C4V3115

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型号

BZT52H-C4V3115

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BZT52H-C4V3115

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

1111 (2828 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

3Ã×A@1V ©I5% 375mW 4.3V SOD-123F Zener Diodes ROHS

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BZT52H-C4V3115 NXP 3Ã×A@1V ©I5% 375mW 4.3V SOD-123F Zener Diodes ROHS

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BZT52H-C4V3115详情

NXP BZT52H-C4V3115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    Surface Mount, MLCC

  • 包装/外壳

    1111 (2828 Metric)

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    2

  • 供应商器件包装

    SOD-123F

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    VJ1111

  • 厂商

    Vishay Vitramon

  • Product Status

    活跃

  • Voltage Rated

    300V

  • Power Dissipation (Max)

    375 mW

  • RoHS

    Compliant

  • Impedance (Max) (Zzt)

    95 Ohms

  • 操作温度

    -55°C ~ 125°C

  • 系列

    VJ四路高频

  • 尺寸/尺寸

    0.117 L x 0.110 W (2.98mm x 2.79mm)

  • 容差

    ±2%

  • 温度系数

    C0G, NP0

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 应用

    RF, Microwave, High Frequency

  • 电容量

    820 pF

  • 工作电压

    4.3 V

  • 失败率

    -

  • 引线间距

    -

  • 阻抗

    95 Ω

  • 元素配置

    Single

  • 反向泄漏电流@ Vr

    3 µA @ 1 V

  • 功率耗散

    830 mW

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    900 mV @ 10 mA

  • 引线样式

    -

  • 功率 - 最大

    375 mW

  • 最大反向漏电电流

    3 µA

  • 测试电流

    5 mA

  • 正向电压

    900 mV

  • 电压 - 齐纳(标准值)(Vz)

    4.3 V

  • 齐纳电压

    4.3 V

  • 峰值反向电流

    3 µA

  • 电压允差

    5 %

  • ESD保护

  • 特征

    High Q, Low Loss

  • 座位高度(最大)

    -

  • 厚度(最大)

    0.102 (2.59mm)

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

  • 评级结果

    -

0个相似型号

BZT52H-C4V3115拓展信息

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