BZT52HC5V6115
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NXP BZT52HC5V6115

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型号

BZT52HC5V6115

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BZT52HC5V6115

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

Radial, Can - Screw Terminals

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

5.6 V 0.375 W Silicon Unidirectional Voltage Regulator Diode

起订量

1最小包装量--

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BZT52HC5V6115
BZT52HC5V6115 NXP 5.6 V 0.375 W Silicon Unidirectional Voltage Regulator Diode

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BZT52HC5V6115详情

NXP BZT52HC5V6115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    Radial, Can - Screw Terminals

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    2

  • 供应商器件包装

    SOD-123F

  • 表面贴装的焊盘尺寸

    --

  • Lead Free Status / RoHS Status

    --

  • Voltage Rated

    75V

  • Lifetime @ Temp.

    1000 Hrs @ 85°C

  • RoHS

    Compliant

  • Package

    Bulk

  • Impedance (Max) (Zzt)

    40 Ohms

  • 厂商

    恩智浦半导体

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 系列

    36DX

  • 包装

    Bulk

  • 尺寸/尺寸

    3.079 Dia (78.20mm)

  • 容差

    -10%, +75%

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    --

  • 终端

    Axial

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 应用

    通用型

  • 电容量

    25000µF

  • 最大功率耗散

    375 mW

  • ESR(等效串联电阻)

    --

  • 工作电压

    5.6 V

  • 引线间距

    1.252 (31.80mm)

  • 极化

    Polar

  • 阻抗

    40 Ω

  • 元素配置

    Single

  • 反向泄漏电流@ Vr

    1 µA @ 2 V

  • 功率耗散

    830 mW

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    900 mV @ 10 mA

  • 功率 - 最大

    375 mW

  • 最大反向漏电电流

    1 µA

  • 测试电流

    5 mA

  • 正向电压

    900 mV

  • 电压 - 齐纳(标准值)(Vz)

    5.6 V

  • 齐纳电压

    5.6 V

  • 峰值反向电流

    1 µA

  • 电压允差

    5 %

  • ESD保护

  • 齐纳电流

    250 mA

  • 座位高度(最大)

    4.252 (108.00mm)

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

  • 评级结果

    --

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BZT52HC5V6115拓展信息

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BZX84-C3V6
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