NXP BZT52H-C6V2，115

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOD-123F

引脚数

2

供应商器件包装

SOD-123F

质量

4.535924 g

Power Dissipation (Max)

375 mW

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Impedance (Max) (Zzt)

10 Ohms

厂商

恩智浦半导体

Product Status

活跃

操作温度

-65°C ~ 150°C (TA)

系列

Automotive, AEC-Q101

容差

5 %

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

工作电压

6.2 V

阻抗

10 Ω

元素配置

Single

反向泄漏电流@ Vr

3 µA @ 4 V

功率耗散

830 mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

900 mV @ 10 mA

功率 - 最大

375 mW

最大反向漏电电流

3 µA

测试电流

5 mA

正向电压

900 mV

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

6.2 V

齐纳电压

6.2 V

峰值反向电流

3 µA

电压允差

6 %

ESD保护

无

宽度

6.35 mm

高度

6.35 mm

长度

6.35 mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅