BZV55-B18,115详情
NXP BZV55-B18,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
引脚数
2
材料
Aluminum
Approvals
CSA, UL
Manufacturer
Hubbell
Collector-Emitter Saturation Voltage
200 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45 V
hFEMin
200
RoHS
Compliant
Package
Bulk
Base Product Number
BZV55
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
系列
*
容差
2 %
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
组成
Metallic
最大功率耗散
500 mW
工作电压
18 V
极性
NPN
阻抗
45 Ω
元素配置
Single
功率耗散
500 mW
最大反向漏电电流
50 nA
测试电流
5 mA
正向电压
900 mV
齐纳电压
18 V
最大集电极电流
200 mA
峰值反向电流
50 nA
电压允差
2 %
转换频率
100 MHz
ESD保护
无
齐纳电流
250 mA
连接类型
Male/Female
长度
0.81
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
无铅
无铅
BZV55-B18,115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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