BZV55-B3V0 T/R详情
NXP BZV55-B3V0 T/R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package Description
HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
Package Style
长式
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reference Voltage-Nom
3 V
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZV55-B3V0T/R
Power Dissipation (Max)
0.4 W
Package Shape
ROUND
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.38
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
电压基准二极管
技术
ZENER
端子位置
END
终端形式
环绕
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
箱体转运
ISOLATED
最大电压允差
2%
工作测试电流
5 mA
动态阻抗-最大值
95 Ω
BZV55-B3V0 T/R拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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