BZV55-B5V1135
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NXP BZV55-B5V1135

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型号

BZV55-B5V1135

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BZV55-B5V1135

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

5.1 V 0.4 W Silicon Unidirectional Voltage Regulator Diode

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BZV55-B5V1135
BZV55-B5V1135 NXP 5.1 V 0.4 W Silicon Unidirectional Voltage Regulator Diode

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BZV55-B5V1135详情

NXP BZV55-B5V1135重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    面板安装

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 越来越多的功能

    Bulkhead - Front Side Nut

  • 引脚数

    2

  • 外壳材料

    铝合金

  • 插入材料

    -

  • 后壳材料,电镀

    -

  • Voltage, Rating

    -

  • Package

    Bulk

  • Primary Material

    Metal

  • Base Product Number

    JT07RP16

  • 厂商

    Amphenol Aerospace Operations

  • Product Status

    活跃

  • Contact Materials

    Copper Alloy

  • Contact Finish Mating

    Gold

  • RoHS

    Compliant

  • 操作温度

    -65°C ~ 175°C

  • 系列

    MIL-DTL-38999 Series II, JT

  • 容差

    2 %

  • 终端

    Crimp

  • 连接器类型

    Receptacle, Male Pins

  • 定位的数量

    55

  • 最高工作温度

    200 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 颜色

    -

  • 应用

    Aviation, Marine, Military

  • 紧固类型

    卡口锁

  • 额定电流

    -

  • 最大功率耗散

    400 mW

  • 方向

    N (Normal)

  • 屏蔽/屏蔽

    Unshielded

  • 入口保护

    -

  • 外壳完成

    镉比镍

  • 外壳尺寸-插入

    16-35

  • 阻抗

    60 Ω

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    500 mW

  • 外壳尺寸,MIL

    -

  • 电缆开口

    -

  • 最大反向漏电电流

    2 µA

  • 测试电流

    5 mA

  • 齐纳电压

    5.1 V

  • 电压允差

    2 %

  • ESD保护

  • 特征

    Potted

  • 触点表面处理厚度 - 配套

    50.0µin (1.27µm)

  • 材料可燃性等级

    -

  • 辐射硬化

0个相似型号

BZV55-B5V1135拓展信息

BZV55-C3V3
BZV55-C3V3

NXP USA Inc.

BZX84-C3V6
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NXP USA Inc.

BZX84C27
BZX84C27

NXP USA Inc.

BZX84-B4V7T/R
BZX84-B4V7T/R

NXP USA Inc.

BZX84-C30
BZX84-C30

NXP USA Inc.

BZX84-C4V7
BZX84-C4V7

NXP USA Inc.

BZX84-C39
BZX84-C39

NXP USA Inc.

BZV55-C20
BZV55-C20

NXP USA Inc.

BZX84-C16
BZX84-C16

NXP USA Inc.

BZX79-C7V5
BZX79-C7V5

NXP USA Inc.

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