BZV55-B6V2115
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NXP BZV55-B6V2115

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型号

BZV55-B6V2115

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BZV55-B6V2115

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

6-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

6.2 V 0.4 W Silicon Unidirectional Voltage Regulator Diode

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BZV55-B6V2115
BZV55-B6V2115 NXP 6.2 V 0.4 W Silicon Unidirectional Voltage Regulator Diode

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BZV55-B6V2115详情

NXP BZV55-B6V2115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-SMD, No Lead

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    2

  • 供应商器件包装

    LLDS; MiniMelf

  • Package

    Strip

  • 厂商

    Mercury United Electronics, Inc.

  • Product Status

    活跃

  • RoHS

    Compliant

  • Impedance (Max) (Zzt)

    10 Ohms

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 系列

    QuikXO

  • 尺寸/尺寸

    0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)

  • 容差

    2 %

  • 类型

    VCTCXO

  • 最高工作温度

    200 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    500 mW

  • 电压 - 供电

    2.5V

  • 频率

    156.675 MHz

  • 频率稳定性

    ±1ppm

  • 输出量

    LVPECL

  • 功能

    幅度控制

  • 基本谐振器

    Crystal

  • 最大电流源

    33mA (Typ)

  • 工作电压

    6.2 V

  • 电流 - 电源(禁用)(最大值)

    18mA (Typ)

  • 阻抗

    10 Ω

  • 元素配置

    Single

  • 反向泄漏电流@ Vr

    3 µA @ 4 V

  • 功率耗散

    500 mW

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    900 mV @ 10 mA

  • 扩频带宽

    -

  • 功率 - 最大

    500 mW

  • 最大反向漏电电流

    3 µA

  • 测试电流

    5 mA

  • 正向电压

    900 mV

  • 电压 - 齐纳(标准值)(Vz)

    6.2 V

  • 齐纳电压

    6.2 V

  • 峰值反向电流

    3 µA

  • 电压允差

    2 %

  • ESD保护

  • 绝对牵引范围 (APR)

    ±8ppm

  • 座位高度(最大)

    0.102 (2.60mm)

  • 宽度

    1.6 mm

  • 高度

    1.6 mm

  • 长度

    3.7 mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

  • 评级结果

    -

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