BZV55-C12,135详情
NXP BZV55-C12,135重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
引脚数
2
供应商器件包装
LLDS; MiniMelf
RoHS
Compliant
Package
Bulk
Impedance (Max) (Zzt)
25 Ohms
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
操作温度
-65°C ~ 200°C
系列
-
容差
5 %
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
500 mW
极性
NPN
阻抗
25 Ω
元素配置
Single
反向泄漏电流@ Vr
100 nA @ 8 V
功率耗散
500 mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
900 mV @ 10 mA
功率 - 最大
500 mW
最大反向漏电电流
100 nA
测试电流
5 mA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
12 V
齐纳电压
12.05 V
电压允差
5 %
ESD保护
无
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
无铅
无铅
BZV55-C12,135拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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