BZV55C15TR详情
NXP BZV55C15TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package Style
长式
Package Body Material
GLASS
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Reference Voltage-Nom
15 V
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
BZV55C15TR
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Central Semiconductor Corp
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.14
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
GENERAL PURPOSE
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
电压基准二极管
技术
ZENER
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
箱体转运
ISOLATED
最大电压允差
5%
工作测试电流
5 mA
动态阻抗-最大值
30 Ω
BZV55C15TR拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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