BZV55-C3V9T/R详情
NXP BZV55-C3V9T/R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
2
Product Status
活跃
厂商
Knowles Syfer
Package
Tape & Reel (TR)
Voltage Rating (DC)
3.9 V
RoHS
Compliant
Reference Voltage-Nom
3.9 V
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZV55-C3V9T/R
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Manufacturer
Philips Semiconductors
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
飞利浦半导体
Risk Rank
5.78
系列
*
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
电压基准二极管
额定功率
500 mW
Reach合规守则
unknown
配置
SINGLE
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
功率耗散
500 mW
测试电流
5 mA
齐纳电压
3.9 V
最大电压允差
5%
工作测试电流
5 mA
电压允差
5 %
动态阻抗-最大值
90 Ω
辐射硬化
无
无铅
无铅
BZV55-C3V9T/R拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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