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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.774492
500
¥0.569483
1000
¥0.474572
2000
¥0.435381
5000
¥0.406901
10000
¥0.378513
15000
¥0.366068
50000
¥0.359947
BZV85-C4V3,133详情
NXP BZV85-C4V3,133重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
触点镀层
Tin
底架
通孔
引脚数
2
供应商器件包装
DO-41
Package
Bulk
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Product Status
活跃
RoHS
Compliant
Impedance (Max) (Zzt)
13 Ohms
操作温度
-10°C ~ 70°C
系列
SXT224
尺寸/尺寸
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
容差
5 %
类型
兆赫晶体
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
1.3 W
频率
19.2 MHz
频率稳定性
±25ppm
ESR(等效串联电阻)
100 Ohms
负载电容
12pF
阻抗
13 Ω
元素配置
Single
反向泄漏电流@ Vr
5 µA @ 1 V
操作模式
Fundamental
功率耗散
1.3 W
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 50 mA
频率容差
±20ppm
功率 - 最大
1.3 W
最大反向漏电电流
5 µA
测试电流
50 mA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
4.3 V
齐纳电压
4.3 V
电压允差
5 %
ESD保护
无
座位高度(最大)
0.026 (0.65mm)
辐射硬化
无
评级结果
-
BZV85-C4V3,133拓展信息
NXP USA Inc.
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