NXP BZV90-C12115

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-223

质量

4.535924 g

Package

Bulk

Impedance (Max) (Zzt)

25 Ohms

厂商

NXP USA Inc.

Product Status

活跃

Collector-Emitter Saturation Voltage

-300 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45 V

hFEMin

420

RoHS

Compliant

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

容差

±5%

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

1.5 W

工作电压

12 V

极性

PNP

阻抗

25 Ω

元素配置

共阴极

反向泄漏电流@ Vr

100 nA @ 8 V

功率耗散

1.5 W

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1 V @ 50 mA

功率 - 最大

1.5 W

最大反向漏电电流

100 nA

测试电流

5 mA

正向电压

1 V

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

12 V

齐纳电压

12.05 V

最大集电极电流

100 mA

峰值反向电流

100 nA

电压允差

5 %

转换频率

100 MHz

ESD保护

无

宽度

3.7 mm

高度

1.7 mm

长度

6.7 mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅