BZX585-B51,115详情
NXP BZX585-B51,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-79, SOD-523
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
供应商器件包装
SOD-523
Package
Bulk
Impedance (Max) (Zzt)
180 Ohms
厂商
恩智浦半导体
Product Status
活跃
Power Dissipation (Max)
300 mW
RoHS
Compliant
操作温度
-65°C ~ 150°C
系列
-
容差
±2%
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
工作电压
51 V
阻抗
180 Ω
元素配置
Single
反向泄漏电流@ Vr
50 nA @ 35.7 V
功率耗散
300 mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 100 mA
功率 - 最大
300 mW
最大反向漏电电流
50 nA
测试电流
2 mA
正向电压
900 mV
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
51 V
齐纳电压
51 V
峰值反向电流
50 nA
电压允差
2 %
ESD保护
无
辐射硬化
无
无铅
无铅
BZX585-B51,115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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