NXP BZX585-B5V1115

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

引脚数

2

Collector-Emitter Saturation Voltage

600 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

250 V

hFEMin

50

RoHS

Compliant

容差

2 %

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

300 mW

工作电压

5.1 V

极性

NPN

阻抗

60 Ω

元素配置

Single

功率耗散

300 mW

最大反向漏电电流

2 µA

测试电流

5 mA

正向电压

1.1 V

齐纳电压

5.1 V

峰值反向电流

2 µA

电压允差

2 %

转换频率

60 MHz

ESD保护

无

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅