NXP BZX79-B4V3，113

安装类型

表面贴装

包装/外壳

24-VBGA

供应商器件包装

24-FBGA (6x8)

Package

Tray

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Impedance (Max) (Zzt)

90 Ohms

操作温度

-40°C ~ 125°C (TA)

系列

HyperRAM™ KL

容差

±2%

技术

PSRAM (Pseudo SRAM)

电压 - 供电

2.7V ~ 3.6V

内存大小

64Mbit

反向泄漏电流@ Vr

3 µA @ 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

900 mV @ 10 mA

时钟频率

200 MHz

功率 - 最大

400 mW

访问时间

35 ns

内存格式

PSRAM

内存接口

HyperBus

写入周期时间 - 字符、页面

35ns

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

4.3 V

组织的记忆

8M x 8