PBSS4220V115详情
NXP PBSS4220V115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
供应商器件包装
SOT-666
Package
Bulk
厂商
EPCOS - TDK Electronics
Product Status
Obsolete
Current-Collector (Ic) (Max)
2 A
系列
-
操作温度
150°C (TJ)
功率 - 最大
900 mW
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 1A, 2V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
350mV @ 200mA, 2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
20 V
频率转换
210MHz
PBSS4220V115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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