PBSS4230QAZ
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NXP PBSS4230QAZ

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型号

PBSS4230QAZ

品牌

NXP

utmel 编号

1786-PBSS4230QAZ

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

3-XDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NEXPERIA PBSS4230QA - 30V, 2A NP

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PBSS4230QAZ NXP NEXPERIA PBSS4230QA - 30V, 2A NP

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PBSS4230QAZ详情

NXP PBSS4230QAZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 触点镀层

    Gold Over Nickel

  • 包装/外壳

    3-XDFN Exposed Pad

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    DFN1010D-3

  • 终端数量

    19

  • Body Orientation

    Straight

  • Voltage, Rating

    850VDC/600VAC

  • Product Depth (mm)

    46.4(mm)

  • Shell Size / Insert Arrangement

    25-19

  • Operating Temp Range

    -65C to 175C

  • Termination Method

    Crimp

  • Product Diameter (mm)

    Not Required(mm)

  • Mounting Styles

    Wall

  • Contact Materials

    Copper Alloy

  • Rad Hardened

  • Contact Classification

    19Signal

  • Package

    Bulk

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    2 A

  • 厂商

    恩智浦半导体

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 类型

    Circular

  • 性别

    RCP

  • 接头数量

    19(POS)

  • 触点性别

    PIN

  • 端口的数量

    1(Port)

  • 功率 - 最大

    325 mW

  • 家人

    D38999

  • 晶体管类型

    NPN

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    100 @ 2A, 2V

  • 最大集极截止电流

    100nA (ICBO)

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    190mV @ 50mA, 1A

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    30 V

  • 频率转换

    190MHz

  • 外壳电镀

    Cadmium

  • 应力消除

  • 产品长度(mm)

    32.77(mm)

  • 产品高度(mm)

    46.4(mm)

0个相似型号

PBSS4230QAZ拓展信息

BC856BS/DG/B3115
BC856BS/DG/B3115

NXP USA Inc.

BC857B/DG/B3215
BC857B/DG/B3215

NXP USA Inc.

BC807-40W/ZL135
BC807-40W/ZL135

NXP USA Inc.

BC857CW,115
BC857CW,115

NXP Semiconductors

PMBTA06/DG/B3235
PMBTA06/DG/B3235

NXP USA Inc.

BCW61C/DG/B4215
BCW61C/DG/B4215

NXP USA Inc.

BC51PAS115
BC51PAS115

NXP USA Inc.

BCX56-16115
BCX56-16115

NXP USA Inc.

BC817-25/DG/B2235
BC817-25/DG/B2235

NXP USA Inc.

BC847CT,115
BC847CT,115

NXP USA Inc.

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